Teknologi baru RAM : Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Kecepatan sebuah komputer merupakan hal yang diinginkan oleh setiap pengguna komputer. Salah satu faktor yang mempengaruhi kecepatan komputer adalah RAM (random access memory). RAM adalah sebuah tipe penyimpanan komputer yang isinya dapat diakses dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan letak data tersebut dalam memori. Ini berlawanan dengan alat memori urut, seperti tape magnetik, disk dan drum, di mana gerakan mekanikal dari media penyimpanan memaksa komputer untuk mengakses data secara berurutan.

RAM pertama kali dikenal pada tahun 60'an. Hanya saja saat itu memori semikonduktor belumlah populer karena harganya yang sangat mahal. Saat itu lebih lazim untuk menggunakan memori utama magnetic. Dari awal perkembangannya, RAM mempunyai beberapa tipe umum diantaranya SRAM (Static RAM), NV-RAM (Non-Volatile RAM) dan DRAM (Dynamic RAM). Tipe DRAM mempunyai beberapa varian yaitu EDO DRAM (Extended Data Out DRAM) dan SDRAM (Synchronous DRAM) mempunyai dua jenis varian yang sering kita dengar yaitu DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRAM) dan RD RAM (Rambus DRAM).

Seiring dengan perkembangan software yang semakin membutuhkan banyak memori, maka dibutuhkan teknologi memori yang lebih baik agar dapat mendapatkan kecepatan komputer yang maksimal tetapi menggunakan daya yang minimal. Dengan kebutuhan akan memori yang lebih cep at itu maka para Ilmuwan Jerman mengembangkan MRAM.

Apakah teknologi MRAM itu? MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal" yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau Harddisk.

Cara kerja dari MRAM adalah dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar. Hal semacam ini dinamakan dengan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit. Cara seperti ini akan membuat memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. Kecepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.